دستگاه دو چاه کوانتومی در حضور میدان های الکتریکی و مغناطیسی

در این رساله به مطالعه رفتار چاه کوانتمی پهن در حضور میدان الکتریکی و مغناطیسی عمود بر سطح دستگاه، به طور جداگانه و همزمان در تقریب موضعی چگالی می پردازیم. در محدوده چگالی های 1 - 3 x 1011 cm-2، در چاه کوانتمی پهن گاز الکترونی دو لایه ای بوجود می آید که در میدان الکتریکی صفر، چگالی دو لایه با هم برابر است . اعمال میدان الکتریکی باعث بهم خوردن تقارن لایه ها شده و بنابراین چگالی لایه ها شده و بنابراین چگالی لایه ها تغییر می کند. در میدان بحرانی ec، دستگاه دو مولفه ای تبدیل به دستگاه تک مولفه ای می گردد. همچنین با اعمال میدان الکتریکی، ?sas زیاد شده و چگالی حالتهای هر تراز تغییر کرده و لذا تعداد الکترونهای هر تراز نسبت به حالت e0 تفاوت پیدا می کند. در میدان بحرانی، تمامی الکترونها به تراز اول ریخته می شوند. با اعمال میدان مغناطیسی، تابع توزیع چگالی تغییر کرده و باعث می شود که ?sas از حالت b0 کوچکتر شود. با اعمال میدان الکتریکی و مغناطیسی همزمان، مشاهده می کنیم که با تغییر میدان، در ?sas تغییر محسوسی بوجود نمی آید که این اتفاق به دلیل تغییر تابع توزیع چگالی است . در انتها به بررسی نتایج بدست آمده برای دستگاه دو چاه کوانتمی در حالتی که چگالی یکی از چاهها رقیق شود، می پردازیم. پیشنهاد می کنیم که در چاه کوانتمی پهن نیز در شرایطی که به نحوی چگالی یکی از لایه ها رقیق شود، همان تصویر بر جا خواهد ماند.